TSMC Global R&D စင်တာကို ဖွင့်လှစ်ခဲ့သည်။

TSMC Global R&D Center ကို ယနေ့တွင် ဖွင့်လှစ်ခဲ့ပြီး အငြိမ်းစားယူပြီးနောက် ပထမဆုံးအကြိမ် TSMC ပွဲကို တည်ထောင်သူ Morris Chang အား ဖိတ်ကြားခဲ့သည်။၎င်း၏ မိန့်ခွန်းအတွင်း TSMC ၏ R&D ဝန်ထမ်းများအား ၎င်းတို့၏ ကြိုးပမ်းအားထုတ်မှုများအတွက် TSMC ၏ နည်းပညာကို ဦးဆောင်ကာ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ စစ်မြေပြင်ဖြစ်လာစေခြင်းအတွက် အထူးကျေးဇူးတင်ရှိကြောင်း ပြောကြားခဲ့သည်။

TSMC ၏တရားဝင်သတင်းထုတ်ပြန်ချက်မှသိရှိရသည်မှာ R&D စင်တာသည် TSMC 2 nm နှင့်အထက်ခေတ်မီနည်းပညာကိုတီထွင်သောသုတေသီများအပါအဝင် R&D စင်တာသည် TSMC R&D အင်စတီကျူးရှင်းများ၏အိမ်သစ်ဖြစ်လာလိမ့်မည်ဖြစ်ကြောင်းသိရှိရသည်။ ပစ္စည်းအသစ်များ၊ ထရန်စစ္စတာတည်ဆောက်ပုံများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များ။R&D ဝန်ထမ်းများသည် အဆောက်အဦသစ်၏ လုပ်ငန်းခွင်သို့ ပြောင်းရွှေ့ထားသောကြောင့် ကုမ္ပဏီသည် 2023 ခုနှစ် စက်တင်ဘာလတွင် ဝန်ထမ်းပေါင်း 7000 ကျော်အတွက် အပြည့်အဝ ပြင်ဆင်သွားမည်ဖြစ်ပါသည်။
TSMC ၏ R&D စင်တာသည် စုစုပေါင်းဧရိယာ 300000 စတုရန်းမီတာကို လွှမ်းခြုံထားပြီး စံချိန်မီ ဘောလုံးကွင်း 42 ကွင်းခန့်ရှိသည်။၎င်းကို စိမ်းလန်းသော အဆောက်အအုံတစ်ခုအနေဖြင့် အစိမ်းရောင်အဆောက် အအုံများ၊ မိုးရေစုဆောင်းမှု ရေကန်များ၊ သဘာဝအလင်းရောင်ကို အများဆုံးအသုံးပြုနိုင်သည့် ပြတင်းပေါက်များနှင့် အထွတ်အထိပ်အခြေအနေများအောက်တွင် လျှပ်စစ် ၂၈၇ ကီလိုဝပ်ထုတ်လုပ်နိုင်သည့် အိမ်ခေါင်မိုးပေါ်ရှိ ဆိုလာပြားများအဖြစ် TSMC ၏ ကတိကဝတ်ကို သရုပ်ပြကာ ရေရှည်တည်တံ့ခိုင်မြဲသော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် ကတိကဝတ်ပြုထားသည်။
TSMC ဥက္ကဌ Liu Deyin မှ ယခု R&D စင်တာသို့ ဝင်ရောက်ခြင်းသည် ကမ္ဘာ့တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းကို ဦးဆောင်မည့် နည်းပညာများကို တက်ကြွစွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေမည်ဖြစ်ပြီး 2 nanometers သို့မဟုတ် 1.4 nanometers အထိ နည်းပညာများကို စူးစမ်းလေ့လာနိုင်မည်ဖြစ်ကြောင်း ပြောကြားခဲ့ပါသည်။R&D စင်တာသည် အလွန်မြင့်မားသောခေါင်မိုးများနှင့် ပလပ်စတစ်လုပ်ငန်းခွင်များအပါအဝင် ဒီဇိုင်းနှင့်ဆောက်လုပ်ရေးတွင် ပါးနပ်သောအကြံဉာဏ်များစွာဖြင့် လွန်ခဲ့သော 5 နှစ်ကျော်က စတင်စီစဉ်ထားကြောင်း ၎င်းက ပြောကြားခဲ့သည်။
Liu Deyin သည် R&D စင်တာ၏ အရေးကြီးဆုံး ကဏ္ဍသည် ခမ်းနားသော အဆောက်အဦများ မဟုတ်သော်လည်း TSMC ၏ R&D အစဉ်အလာကို အလေးပေး ပြောကြားခဲ့ပါသည်။R&D အဖွဲ့သည် 2003 ခုနှစ်တွင် Wafer 12 စက်ရုံသို့ဝင်ရောက်သောအခါ 90nm နည်းပညာကိုတီထွင်ခဲ့ပြီး 20nm နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရန်အတွက် R&D စင်တာသို့ဝင်ရောက်ခဲ့ပြီး 90nm ၏ 1/45 ဖြစ်သည့် 1/45 ဖြစ်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ၎င်းတို့သည် R&D စင်တာတွင်နေရန် လိုအပ်ပါသည်။ အနည်းဆုံး နှစ် 20 ။
Liu Deyin မှ R&D စင်တာရှိ R&D ဝန်ထမ်းများသည် အနှစ် 20 အတွင်း တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အစိတ်အပိုင်းများ၏ အရွယ်အစား၊ မည်သည့်ပစ္စည်းများ အသုံးပြုရမည်၊ အလင်းနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်အက်ဆစ် ပေါင်းစပ်နည်းနှင့် ကွမ်တမ် ဒစ်ဂျစ်တယ် လုပ်ဆောင်ချက်များကို မျှဝေနည်းတို့ကို အဖြေပေးမည်ဖြစ်ကြောင်း Liu Deyin မှ ပြောကြားခဲ့သည်။ အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းများ။